新型材料在高溫下很容易氧化。他們還容易產生氣體及發生物質變化，FSM 900TC-Vac 型號給工藝提供了一個封閉的加熱腔。它可以應用於完全的充氣環境或高真空的模式。

集成化的 FSM 900TC-Vac 系統可以快速協助新材料處理熱穩定和熱負載。

• 溫度范圍：可達9000℃ (200mm 及 300mm 晶圓)

• Thermal Desorption Spectroscopy (TDS -系統可以起獨立的 TDS 作用，分析整個或破損的晶圓，監測在溫度循壞內的各種各樣的氣體排放)。

• 低 K，銅和其他薄膜材料的表征

• 溫度高達 9000℃

• 在真空或惰性氣體中操作

所有FSM 128 系列都可以配備自動平均基板厚度測量功能，以評估用于應力評估的輸入晶圓。

• 128NT : 可以測試 200mm 以下的晶圓

• 128L ：可以測試 300mm 以下的晶圓

• 128G ：可以測試 450mm 以下的晶圓

• 128C2C：彈夾到彈夾的全自動設備，可以測量 300mm 以下的晶圓

• 半導體和平板應用的弓型和球型薄膜應力繪圖

• 非接觸全晶片應力繪圖

• 雙波長激光器交換技術

• 晶圓的厚度，薄膜的厚度及 TTV

• 絕對厚度，形狀，翹曲

• Si，GaAs 等

• 磁帶，玻璃，藍寶石等

• 多種材料的 Stacks

• Through Silicon Via (TSV) - 顯微鏡下可選 TSV 的測量及 Trench 深度測量

• Bumps 的高度測量

• 可選粗糙度的刻蝕或拋光的晶圓的測量

• 可選薄膜厚度的測量

• 使用非接觸式的測量方式來量測基板的厚度

• XY 方向精度達到 0.5 微米

• 自動化的系統

• 可編程的系統

• 可測量 TSV 和 Bump

• 用微波形式測量硅的深度

• 極佳的穩定性及重復性

創新技術及工具自動化

• 帶領技術創新的緊湊型量測系統

• 用於設備分析方面，性能優越的光譜分辨率 (0.1cm-1)

• 由 1988 年開始，在晶圓工廠自動化中成功地控制測量技術